Cálculos AB-Initio de la estructura electrónica de defectos e impurezas en silicio

• Autores: Gabriel Díaz Orueta
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1988
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando Flores Sintas (presid.), Juan Rubio (secret.), José Antonio Vergés Brotons (voc.), Luis Viña (voc.), Rosa Caballol Lorenzo (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)