Resumen de Caracterización de detectores para un espectrorradiómetro en el IR próximo

Joaquín Campos Acosta, Pedro Corredera Guillén, A. Pons, Antonio Corróns Rodríguez

• español

  Se ha determinado el valor óptimo de la tensión de polarización, la resistencia de carga, la temperatura y la frecuencia de modulación, de distintos detectores semiconductores para obtener la mejor relación señal/ruido. Estos detectores son más interesantes que otros cuando se utilizan en espectrorradiometría en el intervalo espectral de 1 gm a 3.5 gm. La detectividad normalizada, D* (500, f, 1 ), y la potencia equivalente al ruido de los detectores se han utilizado como figuras de mérito para seleccionar el detector más apropiado, puesto que losdetectores estudiados (PbS. PbSe, HgCdTe. lnAs, lnSb) tienen distintos tamaños.

• English

  The optimum value of external conditions of operation, such as bias voltage, load resistance, temperature and chopping frequency, of several semiconductor detectors have been determined in order to use them in spectraradiometry, under the assumption that the maximum signal to noise ratio is required. These detectors are more interesting than others for this purpose in the spectral interval from 1 to 3.5 gm. Since the studied detectors (PbS, PbSe. HgCdTe, lnAs and lnSb) are of different sizes, the calculated normalized detectivity, (500, f, 1), and the noise equivalent power of detectors have been used as figures of merit to select the most suitable detector.