Análisis de la espectroscopia túnel resonante en diodos MIM

• Autores: Xavier Aymerich Humet, Francesc Serra Mestres, J. Millán
• Localización: III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 104-110
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se propone el método de la espectroscopía túnel resonante en términos de d2[superíndice]I/dV2[superíndice] para caracterizar centros profundos en el aislante de diodos MIM. Se discute la validez de la aproximación de resonancia, demostrando que si bien el desplazamiento del nivel resonante es despreciable, no ocurre así con la anchura de resonancia. La influencia de dicha anchura en la ETR es evaluada hasta términos de 4º orden.