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Un nuevo método iterativo para la resolución de la ecuación de Poisson no-lineal en el proceso de simulación 3D de semiconductores

  • Autores: T. F. Pena, Javier Díaz Bruguera, Emilio López Zapata
  • Localización: Actas del IX Congreso de Diseño de Circuitos Integrados, 9, 10 y 11 de noviembre de 1994, Maspalomas, Gran Canaria, 1994, págs. 333-338
  • Idioma: español
  • Texto completo no disponible (Saber más ...)
  • Resumen
    • La utilización de técnicas adecuadas de simulación de semiconductores es cada vez más necesaria en la industria. En este trabajo presentamos un nuevo método iterativo que permite resolver la ecuación de Poisson no-lineal que surge de la discretización en elementos finitos de las ecuaciones básicas de un semiconductor.

      Este nuevo método presenta como ventaja principal el garantizar convergencia global para cualquier elección de valores iniciales. Hemos incorporado este algoritmo en un simulador global, basado en la iteración de Gummel. La resolución directa de la ecuación no-lineal, permite reducir de forma significativa el número de iteraciones Gummel necesarias para obtener resultados adecuados. Para resolver las ecuaciones de continuidad no-simétricas, hacemos uso de un método iterativo no estacionario: el Bi-CGSTAB.


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